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第224章 不同意降标

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    直到他们被带进一间挂着“尖端项目组”牌子的会议室,看到了坐在主位上的陈卫东,以及摊在桌上的那份图纸。

    两位在各自领域浸淫了半辈子的顶级学者,只看了五分钟,表情就变了。

    尹教授扶着老花镜,手指在图纸上那精妙绝伦的三维结构上轻轻划过,像是怕惊扰了什么。

    “……不可思议。它在垂直方向上构建了多个通路,这……这完全颠覆了平面集成电路的设计思路!”

    王教授则死死盯着材料配比和工艺流程那几页,呼吸都变得有些急促。

    “用气相外延法生长多晶硅薄膜,再通过离子注入精确控制掺杂……理论上……理论上是可行的!天哪,这能将晶体管的集成度提高至少两个数量级!”

    “两位教授,”陈卫东开口,将他们从震惊中拉回现实,“我需要在一周内,完成所有前期筹备工作,进入第一次试生产。”

    “一周?!”

    尹教授差点跳起来,“卫东同志,你知不知道这意味着什么?”

    “光是真空腔的调试和气密性检测,按流程至少要一个月!还有材料提纯,高纯度单晶硅的制备,哪一样不要时间?”

    “时间,我们没有。”陈卫东的声音冷静得像机床的导轨,“流程可以优化,设备可以改造。我需要的是执行。”

    接下来的七天,整个项目组的人都见识到了什么叫“神迹”。

    原本需要一个月的真空腔调试,陈卫东只看了一眼设备,就直接指出了三个密封圈的材质缺陷,并给出了替换方案。两天,气密性达标。

    原本需要反复试验的离子注入能量和角度,陈卫东直接在黑板上列出了一串精确到小数点后四位的参数。

    第一次测试,注入深度和分布范围,与设计值完美吻合。

    团队里一个刚从沪上交大毕业的研究员,在进行薄膜沉积时,温度控制出现了零点五度的偏差。

    他自己都没发现,正要进行下一步,陈卫东的声音从他身后传来。

    “停。炉温高了。废掉,重来。”

    

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