套刻精度：
2.8 nm（优于行业标准）72小时连续试产良率：91.4%
更关键的是——这些芯片已随NOva青春版PrO公开发售。
虽主SOC仍采用高通方案，但电源管理IC、快充控制器、NAND闪存主控等12颗核心配套芯片，全部采用该38nm产线制造。
包装盒底部新增一行银色小字：
“关键芯片国产38nm工艺，自主可控。”
……
……
美国加州，圣克拉拉，TeChInSightS总部。
深夜十一点，拆解实验室灯火通明。
詹姆斯·米勒——资深首席分析工程师，叼着半截冷掉的咖啡吸管，把NOva青春版PrO的主板扔到工作台上，语气满是讥诮：“又一个‘中国奇迹’？”
“上帝，我真是服了！”另外一个工程师瑞安无奈的开口道：“我们这么晚了，到底在干什么，省省吧。上回汉芯用砂纸磨摩托罗拉芯片，这次怕不是拿台积电废片重新打标。”
他身旁，华裔工程师林哲，正调试电子束显微镜，闻言嗤笑一声：“我老家在苏州，从小听‘国产突破’听到耳朵起茧。结果呢？连个像样的示波器都造不好。38nm？别逗了，他们能稳定做出130nm就烧高香了。”
“就是！”
瑞安插嘴，“ASML CEO都说中国人连193nm光源都没有，光刻机？怕是PPT造的吧！”
林哲沉默了一下。
感觉有些不舒服。
但是，想想也无可厚非。
国内的大环境的确是这样的。
米勒耸耸肩，戴上防静电手套：“行吧，按流程走一遍。反正客户付了加急费，咱们就当看个笑话。”
他熟练地剥离封装，取出那颗标注“PMIC-HD38”的电源管理芯片，放入聚焦离子束设备。
“先切个横截面，看看是不是多重曝光拼的……”
屏幕亮起，纳米级剖面图像缓缓生成。
起初，米勒还漫不经心地敲着桌面。
可三分钟后，他动作僵住了。
“这……这不对……”他凑近屏幕，瞳孔骤缩。
林哲察觉异样，走过来瞥了一眼，笑容瞬间凝固。
屏幕上，多层铜互连结构清晰如画，介电层均匀致密，栅极侧墙轮廓锐利如刀锋——这绝非65nm或90nm工艺能伪造的细节。
“液膜边缘效应……”
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